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SI1025X-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale P, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI1025X-T1-GE3
Codice Prodotto2335271
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N190mA
Corrente di drain continua (Id) canale P190mA
Resistenza RdsON canale N4ohm
Resistenza RdsON canale P4ohm
Stile di Case del TransistorSC-89
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N250mW
Dissipazione di potenza canale P250mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The SI1025X-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for use with relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories and transistor driver, battery operated systems, power supply converter circuits and solid state relay applications. It offers ease in driving switches, low offset voltage, low-voltage operation, high-speed circuits, easily driven without buffer and small board area.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- High-side switching
- 4Ω Low ON-resistance
- 2V Low threshold
- 20ns Fast switching speed
- 23pF Low input capacitance
- Miniature package
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
190mA
Resistenza RdsON canale P
4ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
250mW
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
190mA
Resistenza RdsON canale N
4ohm
Stile di Case del Transistor
SC-89
Dissipazione di potenza canale N
250mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005
Tracciabilità del prodotto