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FDC6321C
FDC6321C - MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 25 V, 460 mA, 0.33 ohm, SuperSOT

9844848

MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 25 V, 460 mA, 0.33 ohm, SuperSOT

ONSEMI

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canale N e P complementare canali N e P complementari 25V 460mA 25V 25V 460mA 0.33ohm 460mA 4.5V montaggio superficiale (SMT) 0.33ohm 800mV 0.33ohm SuperSOT 900mW 6Pin 900mW 150°C 900mW
NX3008CBKS,115
NX3008CBKS,115 - MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-363

2069539

MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-363

NEXPERIA

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BSS138PS,115
BSS138PS,115 - MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

1972664

MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

NEXPERIA

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canale N canale N 60V 320mA 60V - 320mA 0.9ohm - 10V montaggio superficiale (SMT) 0.9ohm 1.2V - SOT-363 420mW 6Pin 420mW 150°C -
NTJD4001NT1G
NTJD4001NT1G - MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 250 mA, 1 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

1704019

MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 250 mA, 1 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

ONSEMI

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canale N canale N 30V 250mA 30V - 250mA 1ohm - 4V montaggio superficiale (SMT) 1ohm 1.2V - SOT-363 272mW 6Pin 272mW 150°C -
NX3008NBKS,115
NX3008NBKS,115 - MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

2069542

MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

NEXPERIA

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canale N canale N 30V 350mA 30V 30V 350mA 1ohm 350mA 4.5V montaggio superficiale (SMT) 1ohm 900mV 1ohm SOT-363 445mW 6Pin 445mW 150°C 445mW
SI4963BDY-T1-E3
SI4963BDY-T1-E3 - MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

2335325

MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

VISHAY

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canale P canale P 20V 4.9A 20V 20V 4.9A 0.025ohm 4.9A 2.5V montaggio superficiale (SMT) 0.025ohm 1.4V 0.025ohm SOIC 1.1W 8Pin 1.1W 150°C 1.1W
BSS8402DW-7-F
BSS8402DW-7-F - MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-363

1713834

MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-363

DIODES INC.

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canale N e P complementare canali N e P complementari 60V 115mA 60V 60V 115mA 13.5ohm 115mA 10V montaggio superficiale (SMT) 13.5ohm 2.5V 13.5ohm SOT-363 200mW 6Pin 200mW 150°C 200mW
SI1967DH-T1-GE3
SI1967DH-T1-GE3 - MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 1.3 A, 0.64 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

2335282

MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 1.3 A, 0.64 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

VISHAY

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canale P canale P 20V 1.3A 20V 20V 1.3A 0.64ohm 1.3A 1.8V montaggio superficiale (SMT) 0.64ohm 400mV 0.64ohm SOT-363 1.25W 6Pin 1.25W 150°C 1.25W
BSS138DW-7-F
BSS138DW-7-F - MOSFET dual-gate, canale N, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

1713832

MOSFET dual-gate, canale N, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

DIODES INC.

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canale N canale N 50V 200mA 50V - 200mA 3.5ohm - 10V montaggio superficiale (SMT) 3.5ohm 1.2V - SOT-363 200mW 6Pin 200mW 150°C -
IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF - MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, SOIC

2097999

MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, SOIC

INFINEON

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canale N e P complementare canali N e P complementari 55V 4.7A 55V 55V 4.7A 0.043ohm 4.7A 10V montaggio superficiale (SMT) 0.043ohm 1V 0.043ohm SOIC 2W 8Pin 2W 150°C 2W
DMP3056LSD
DMP3056LSD - MOSFET dual-gate, canale P, 30 V, 6.9 A, 0.045 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

2061421

MOSFET dual-gate, canale P, 30 V, 6.9 A, 0.045 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

DIODES INC.

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1+ € 0,938 10+ € 0,823 100+ € 0,631 500+ € 0,499

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canale P canale P 30V 6.9A 30V 30V 6.9A 0.045ohm 6.9A 10V montaggio superficiale (SMT) 0.045ohm 1.7V 0.045ohm SOIC 2.5W 8Pin 2.5W 150°C 2.5W
FDMS3660S
FDMS3660S - MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 60 A, 0.0013 ohm, Power 56, montaggio superficiale (SMT)

2322592

MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 60 A, 0.0013 ohm, Power 56, montaggio superficiale (SMT)

ONSEMI

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canale N canale N 30V 60A 30V 30V 60A 0.0013ohm 60A 10V montaggio superficiale (SMT) 0.0013ohm 1.5V 0.0013ohm Power 56 2.5W 8Pin 2.5W 150°C 2.5W
FDS9926A
FDS9926A - MOSFET dual-gate, canale N, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

1467990

MOSFET dual-gate, canale N, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

ONSEMI

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canale N canale N 20V 6.5A 20V - 6.5A 0.025ohm - 4.5V montaggio superficiale (SMT) 0.025ohm 1V - SOIC 2W 8Pin 2W 150°C -
IRF7509TRPBF
IRF7509TRPBF - MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 30 V, 2.7 A, 0.11 ohm, µSOIC

1611421

MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 30 V, 2.7 A, 0.11 ohm, µSOIC

INFINEON

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canale N e P complementare canali N e P complementari 30V 2.7A 30V 30V 2.7A 0.11ohm 2.7A 10V montaggio superficiale (SMT) 0.11ohm 1V 0.11ohm µSOIC 1.25W 8Pin 1.25W 150°C 1.25W
QS6M3TR
QS6M3TR - MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 20 V, 1.5 A, 0.17 ohm, TSMT

1525473

MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 20 V, 1.5 A, 0.17 ohm, TSMT

ROHM

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canale N e P complementare canali N e P complementari 20V 1.5A 20V 20V 1.5A 0.17ohm 1.5A 4.5V montaggio superficiale (SMT) 0.17ohm 1.5V 0.17ohm TSMT 900mW 6Pin 900mW 150°C 1.25W
2N7002PS,115
2N7002PS,115 - MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 320 mA, 1 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

1859846

MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 320 mA, 1 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

NEXPERIA

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canale N canale N 60V 320mA 60V - 320mA 1ohm - 10V montaggio superficiale (SMT) 1ohm 1.75V - SOT-363 320mW 6Pin 320mW 150°C -
IRF7389TRPBF
IRF7389TRPBF - MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 30 V, 7.3 A, 0.023 ohm, SOIC

2468017

MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 30 V, 7.3 A, 0.023 ohm, SOIC

INFINEON

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canale N e P complementare canali N e P complementari 30V 7.3A 30V 30V 7.3A 0.023ohm 7.3A 10V montaggio superficiale (SMT) 0.023ohm 1V 0.023ohm SOIC 2.5W 8Pin 2.5W 150°C 2.5W
IRF7319TRPBF
IRF7319TRPBF - MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm, SOIC

2468012

MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm, SOIC

INFINEON

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canale N e P complementare canali N e P complementari 30V 6.5A 30V 30V 6.5A 0.023ohm 6.5A 10V montaggio superficiale (SMT) 0.023ohm 1V 0.023ohm SOIC 2W 8Pin 2W 150°C 2W
IRF7303TRPBF
IRF7303TRPBF - MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

2101474

MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

INFINEON

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canale N canale N 30V 4.9A 30V 30V 4.9A 0.05ohm 4.9A 10V montaggio superficiale (SMT) 0.05ohm 1V 0.05ohm SOIC 2W 8Pin 2W 150°C 2W
FDC6306P
FDC6306P - MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 1.9 A, 0.127 ohm, SuperSOT, montaggio superficiale (SMT)

9844929

MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 1.9 A, 0.127 ohm, SuperSOT, montaggio superficiale (SMT)

ONSEMI

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canale P canale P - 1.9A 20V 20V - 0.127ohm 1.9A 4.5V montaggio superficiale (SMT) - 900mV 0.127ohm SuperSOT 960mW 6Pin - 150°C 960mW
FDS4897C
FDS4897C - MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 40 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SOIC

2453864

MOSFET dual-gate, canali N e P complementari, 40 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SOIC

ONSEMI

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2453864RL in Re-reeling
2985514 in Full Reel

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canale N e P complementare canali N e P complementari 40V 6.2A 40V 40V 6.2A 0.021ohm 6.2A 10V montaggio superficiale (SMT) 0.021ohm 1.9V 0.021ohm SOIC 2W 8Pin 2W 150°C 2W
IRF7103TRPBF
IRF7103TRPBF - MOSFET dual-gate, canale N, 50 V, 3 A, 0.11 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

2467996

MOSFET dual-gate, canale N, 50 V, 3 A, 0.11 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

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BSS84AKS,115
BSS84AKS,115 - MOSFET dual-gate, canale P, 50 V, 160 mA, 4.5 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

1972665

MOSFET dual-gate, canale P, 50 V, 160 mA, 4.5 ohm, SOT-363, montaggio superficiale (SMT)

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canale P canale P - 160mA 50V 50V - 4.5ohm 160mA 10V montaggio superficiale (SMT) - 1.6V 4.5ohm SOT-363 445mW 6Pin - 150°C 445mW
AUIRF7341QTR
AUIRF7341QTR - MOSFET dual-gate, canale N, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

2725790

MOSFET dual-gate, canale N, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)

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canale N canale N 55V 5.1A 55V 55V 5.1A 0.043ohm 5.1A 10V montaggio superficiale (SMT) 0.043ohm 3V 0.043ohm SOIC 2.4W 8Pin 2.4W 175°C 2.4W
IRLHS6276TRPBF
IRLHS6276TRPBF - MOSFET dual-gate, canale N, 20 V, 3.4 A, 0.033 ohm, PQFN, montaggio superficiale (SMT)

2726004

MOSFET dual-gate, canale N, 20 V, 3.4 A, 0.033 ohm, PQFN, montaggio superficiale (SMT)

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canale N canale N 20V 3.4A 20V 20V 3.4A 0.033ohm 3.4A 4.5V montaggio superficiale (SMT) 0.033ohm 800mV 0.033ohm PQFN 6.6W 6Pin 6.6W 150°C 6.6W