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BUK9K52-60RAX
MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreBUK9K52-60RAX
Codice Prodotto3617838
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N16A
Corrente di drain continua (Id) canale P16A
Resistenza RdsON canale N0.0414ohm
Resistenza RdsON canale P0.0414ohm
Stile di Case del TransistorLFPAK56D
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N32W
Dissipazione di potenza canale P32W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
16A
Resistenza RdsON canale P
0.0414ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
32W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
16A
Resistenza RdsON canale N
0.0414ohm
Stile di Case del Transistor
LFPAK56D
Dissipazione di potenza canale N
32W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto