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SI6562CDQ-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI6562CDQ-T1-GE3
Codice Prodotto2335341
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N6.7A
Corrente di drain continua (Id) canale P6.7A
Resistenza RdsON canale N0.18ohm
Resistenza RdsON canale P0.18ohm
Stile di Case del TransistorTSSOP
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N1.6W
Dissipazione di potenza canale P1.6W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
The SI6562CDQ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- TrenchFET® power MOSFET
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
6.7A
Resistenza RdsON canale P
0.18ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.6W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
6.7A
Resistenza RdsON canale N
0.18ohm
Stile di Case del Transistor
TSSOP
Dissipazione di potenza canale N
1.6W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000092
Tracciabilità del prodotto