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HT8KE5TB1
MOSFET dual-gate, doppio canale N, 100 V, 7 A, 0.148 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreHT8KE5TB1
Codice Prodotto4246784
Datasheet tecnico
Tipo di canaledoppio canale N
Tensione drain-source (Vds) canale N100V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N7A
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N0.148ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorHSMT
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N13W
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tipo di canale
doppio canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tensione drain-source (Vds) canale N
100V
Corrente di drain continua (Id) canale N
7A
Resistenza RdsON canale N
0.148ohm
Stile di Case del Transistor
HSMT
Dissipazione di potenza canale N
13W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000074