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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVLJD4007NZTAG
Codice Prodotto2774835
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N245mA
Corrente di drain continua (Id) canale P245mA
Resistenza RdsON canale N1.4ohm
Resistenza RdsON canale P1.4ohm
Stile di Case del TransistorWDFN
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N755mW
Dissipazione di potenza canale P755mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
245mA
Resistenza RdsON canale P
1.4ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
755mW
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
245mA
Resistenza RdsON canale N
1.4ohm
Stile di Case del Transistor
WDFN
Dissipazione di potenza canale N
755mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto