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Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVLJD4007NZTBG
Codice Prodotto3616937
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N245mA
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N0.007ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorWDFN
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N755mW
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
245mA
Resistenza RdsON canale N
0.007ohm
Stile di Case del Transistor
WDFN
Dissipazione di potenza canale N
755mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto