Stampa pagina
NTLJD3119CTBG
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
870 A Stock
3 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,170 |
| 10+ | € 0,732 |
| 100+ | € 0,483 |
| 500+ | € 0,380 |
| 1000+ | € 0,339 |
| 5000+ | € 0,300 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,17 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTLJD3119CTBG
Codice Prodotto2317602
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N4.6A
Corrente di drain continua (Id) canale P4.6A
Resistenza RdsON canale N0.037ohm
Resistenza RdsON canale P0.037ohm
Stile di Case del TransistorWDFN
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N2.3W
Dissipazione di potenza canale P2.3W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The NTLJD3119CTBG is a N/P-channel complementary MOSFET designed for load management devices like PDAs, Cellular Phones and Hard Drives. It is suitable for synchronous DC-to-DC conversion circuits and colour display, camera flash regulator applications.
- Package with exposed drain pad for excellent thermal conduction
- Footprint same as SC-88 package
- Leading Edge Trench technology for low ON-resistance
- 1.8V Gate threshold voltage
- Low profile (<lt/>0.8mm) for easy fit in thin environments
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
4.6A
Resistenza RdsON canale P
0.037ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
2.3W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
4.6A
Resistenza RdsON canale N
0.037ohm
Stile di Case del Transistor
WDFN
Dissipazione di potenza canale N
2.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000005
Tracciabilità del prodotto