Stampa pagina
NX3008NBKV,115
MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
1 970 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,391 |
| 10+ | € 0,251 |
| 100+ | € 0,117 |
| 500+ | € 0,100 |
| 1000+ | € 0,0877 |
| 5000+ | € 0,0658 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 5
Più: 5
€ 1,96 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreNX3008NBKV,115
Codice Prodotto2069545
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N400mA
Corrente di drain continua (Id) canale P400mA
Resistenza RdsON canale N1ohm
Resistenza RdsON canale P1ohm
Stile di Case del TransistorSOT-666
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N330mW
Dissipazione di potenza canale P330mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
NX3008NBKV è un MOSFET duale ad arricchimento a canale N in un piccolo package di plastica SMT che sfrutta la tecnologia MOSFET. È adatto per applicazioni con driver di relè, driver di linea ad alta velocità, interruttori di carico low side e circuiti di commutazione.
- Caratteristiche di commutazione molto rapida
- Bassa tensione di soglia
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
400mA
Resistenza RdsON canale P
1ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
330mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
400mA
Resistenza RdsON canale N
1ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-666
Dissipazione di potenza canale N
330mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000003
Tracciabilità del prodotto