IRF7503TRPBF
MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The IRF7503TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The low profile (<lt/>1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily into extremely thin application environments such as portable electronics and PCMCIA cards.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Low profile
- Fast switching performance
Avvertenze
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Specifiche tecniche
canale N
30V
2.4A
0.135ohm
8Pin
1.25W
HEXFET Series
MSL 2 - 1 anno
30V
2.4A
0.135ohm
µSOIC
1.25W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto