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MMBT7002DW
MOSFET dual-gate, doppio canale N, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIOTEC
Cod. produttoreMMBT7002DW
Codice Prodotto4710430
Datasheet tecnico
Tipo di canaledoppio canale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N115mA
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N7.5ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N200mW
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
doppio canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
115mA
Resistenza RdsON canale N
7.5ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
200mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002747
Tracciabilità del prodotto