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DMG8601UFG-7
MOSFET dual-gate, canale N, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.017 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG8601UFG-7
Codice Prodotto3944072RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N6.1A
Corrente di drain continua (Id) canale P6.1A
Resistenza RdsON canale N0.017ohm
Resistenza RdsON canale P0.017ohm
Stile di Case del TransistorU-DFN3030
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N920mW
Dissipazione di potenza canale P920mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
6.1A
Resistenza RdsON canale P
0.017ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
920mW
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
6.1A
Resistenza RdsON canale N
0.017ohm
Stile di Case del Transistor
U-DFN3030
Dissipazione di potenza canale N
920mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto