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IXFN80N50
Transistore MOSFET, HiPerFET, canale N, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
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ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN80N50
Codice Prodotto7348029
Gamma ProdottiHiPerFET Series
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN80N50
Codice Prodotto7348029
Gamma ProdottiHiPerFET Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Corrente Continua di Drain Id80A
Tensione Drain Source Vds500V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.055ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.055ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Montaggio Transistoremodulo
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza780W
Dissipazione di Potenza Pd780W
Stile di Case del TransistorISOTOP
Temperatura di esercizio max150°C
Numero di pin4Pin
Qualificazioni-
Gamma di prodottiHiPerFET Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
80A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.055ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Dissipazione di Potenza Pd
780W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.055ohm
Montaggio Transistore
modulo
Dissipazione di potenza
780W
Stile di Case del Transistor
ISOTOP
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
HiPerFET Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.234507
Tracciabilità del prodotto