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IXFN80N50
Transistore MOSFET, HiPerFET, canale N, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
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ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN80N50
Codice Prodotto7348029
Gamma ProdottiHiPerFET Series
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN80N50
Codice Prodotto7348029
Gamma ProdottiHiPerFET Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Corrente Continua di Drain Id80A
Tensione Drain Source Vds500V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.055ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.055ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Montaggio Transistoremodulo
Dissipazione di potenza780W
Dissipazione di Potenza Pd780W
Stile di Case del TransistorISOTOP
Temperatura di esercizio max150°C
Numero di pin4Pin
Qualificazioni-
Gamma di prodottiHiPerFET Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
80A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.055ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Montaggio Transistore
modulo
Dissipazione di Potenza Pd
780W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.055ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Dissipazione di potenza
780W
Stile di Case del Transistor
ISOTOP
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
HiPerFET Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.234507