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SI4599DY-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI4599DY-T1-GE3
Codice Prodotto1779270
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N40V
Tensione drain-source (Vds) canale P40V
Corrente di drain continua (Id) canale N6.8A
Corrente di drain continua (Id) canale P6.8A
Resistenza RdsON canale N0.0295ohm
Resistenza RdsON canale P0.0295ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N3W
Dissipazione di potenza canale P3.1W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Il SI4599DY-T1-GE3 è un doppio MOSFET di potenza TrenchFET® con canale N e P di 40V. Adatto per gli inverter di retroilluminazione per schermi LCD e applicazioni di conversione full bridge. Il MOSFET di potenza LITTLE FOOT® per montaggio superficiale utilizza un circuito integrato e package di piccolo segnale modificati per offrire le capacità di trasferimento del calore richiesto dai dispositivi alimentati.
- Privo di alogeni in conformità alla definizione IEC 61249-2-21
- Testato per Rg al 100%
- Testato UIS al 100%
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
40V
Corrente di drain continua (Id) canale P
6.8A
Resistenza RdsON canale P
0.0295ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
3.1W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Corrente di drain continua (Id) canale N
6.8A
Resistenza RdsON canale N
0.0295ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Israel
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Israel
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000126
Tracciabilità del prodotto