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Corrente di drain continua (Id) canale P

:

6.8A

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Confronta					Prezzo per		Quantità

	SI4599DY-T1-GE3	1779270 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 40 V 40 V 6.8 A 6.8 A 0.0295 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	5+ € 1,020 50+ € 0,742 100+ € 0,503 500+ € 0,398 1000+ € 0,357	Min: 5 / Mult: 5	canale N e P complementare	40V	40V	6.8A	6.8A	0.0295ohm	0.0295ohm	SOIC	8Pin	3W	3.1W	150°C	-	-
	SI4599DY-T1-GE3	1779270RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 40 V 40 V 6.8 A 6.8 A 0.0295 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,503 500+ € 0,398 1000+ € 0,357	Min: 100 / Mult: 5	canale N e P complementare	40V	40V	6.8A	6.8A	0.0295ohm	0.0295ohm	SOIC	8Pin	3W	3.1W	150°C	-	-
	IRF9389TRPBF	2579952 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET dual-gate canale N e P complementare 30 V 30 V 6.8 A 6.8 A 0.022 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	5+ € 0,541 50+ € 0,386 250+ € 0,294 1000+ € 0,183 2000+ € 0,179	Min: 5 / Mult: 5	canale N e P complementare	30V	30V	6.8A	6.8A	0.022ohm	0.022ohm	SOIC	8Pin	2W	2W	150°C	HEXFET Series	-
	IRF9389TRPBF	2579952RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET dual-gate canale N e P complementare 30 V 30 V 6.8 A 6.8 A 0.022 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	50+ € 0,386 250+ € 0,294 1000+ € 0,183 2000+ € 0,179	Min: 100 / Mult: 5	canale N e P complementare	30V	30V	6.8A	6.8A	0.022ohm	0.022ohm	SOIC	8Pin	2W	2W	150°C	HEXFET Series	-
	DMC4040SSDQ-13	3944058 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET dual-gate canale N e P complementare 40 V 40 V 6.8 A 6.8 A 0.013 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	1+ € 1,080 10+ € 0,711 100+ € 0,522 500+ € 0,430 1000+ € 0,404 Altri prezzi...	Min: 1 / Mult: 1	canale N e P complementare	40V	40V	6.8A	6.8A	0.013ohm	0.013ohm	SOIC	8Pin	1.8W	1.8W	150°C	-	AEC-Q101
	DMC4040SSD-13	3944057RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET dual-gate canale N e P complementare 40 V 40 V 6.8 A 6.8 A 0.013 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,519 500+ € 0,407 1000+ € 0,368 5000+ € 0,321	Min: 100 / Mult: 1	canale N e P complementare	40V	40V	6.8A	6.8A	0.013ohm	0.013ohm	SOIC	8Pin	1.8W	1.8W	150°C	-	-
	DMN3024LSD-13	3944103 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET dual-gate canale N 30 V 30 V 6.8 A 6.8 A 0.024 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	1+ € 0,674 10+ € 0,528 100+ € 0,362 500+ € 0,244 1000+ € 0,203 Altri prezzi...	Min: 1 / Mult: 1	canale N	30V	30V	6.8A	6.8A	0.024ohm	0.024ohm	SOIC	8Pin	2W	2W	150°C	-	-
	DMN3024LSD-13	3944103RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET dual-gate canale N 30 V 30 V 6.8 A 6.8 A 0.024 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,362 500+ € 0,244 1000+ € 0,203 5000+ € 0,182	Min: 100 / Mult: 1	canale N	30V	30V	6.8A	6.8A	0.024ohm	0.024ohm	SOIC	8Pin	2W	2W	150°C	-	-
	DMC4040SSDQ-13	3944058RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET dual-gate canale N e P complementare 40 V 40 V 6.8 A 6.8 A 0.013 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,522 500+ € 0,430 1000+ € 0,404 5000+ € 0,378	Min: 100 / Mult: 1	canale N e P complementare	40V	40V	6.8A	6.8A	0.013ohm	0.013ohm	SOIC	8Pin	1.8W	1.8W	150°C	-	AEC-Q101
	DMC4040SSD-13	3944057 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET dual-gate canale N e P complementare 40 V 40 V 6.8 A 6.8 A 0.013 ohm		Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	1+ € 1,250 10+ € 0,784 100+ € 0,519 500+ € 0,407 1000+ € 0,368 Altri prezzi...	Min: 1 / Mult: 1	canale N e P complementare	40V	40V	6.8A	6.8A	0.013ohm	0.013ohm	SOIC	8Pin	1.8W	1.8W	150°C	-	-
	IRF9389TRPBF	4319006 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET dual-gate canale N e P complementare 30 V 30 V 6.8 A 6.8 A 0.022 ohm		Unità, fornito in bobina completa Full Reel Opzioni di imballaggio	4000+ € 0,162 12000+ € 0,152	Min: 4000 / Mult: 4000	canale N e P complementare	30V	30V	6.8A	6.8A	0.022ohm	0.022ohm	SOIC	8Pin	2W	2W	150°C	HEXFET Series	-
	SI4599DY-T1-GE3	4320162 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 40 V 40 V 6.8 A 6.8 A 0.0295 ohm		Unità, fornito in bobina completa Full Reel Opzioni di imballaggio	2500+ € 0,286 7500+ € 0,284	Min: 2500 / Mult: 2500	canale N e P complementare	40V	40V	6.8A	6.8A	0.0295ohm	0.0295ohm	SOIC	8Pin	3W	3.1W	150°C	-	-

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