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UJ4SC075005L8S
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 120 A, 750 V, 5.4 mohm, MO-299
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreUJ4SC075005L8S
Codice Prodotto4221985
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id120A
Tensione Drain Source Vds750V
Resistenza Drain-Source in conduzione5.4mohm
Stile di Case del TransistorMO-299
Numero di pin8Pin
Tensione di test di Rds(on)12V
Tensione di soglia Gate-Source massima6V
Dissipazione di potenza1.153kW
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
120A
Resistenza Drain-Source in conduzione
5.4mohm
Numero di pin
8Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
750V
Stile di Case del Transistor
MO-299
Tensione di test di Rds(on)
12V
Dissipazione di potenza
1.153kW
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto