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NTZD3154NT1G
MOSFET dual-gate, canale N, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTZD3154NT1G
Codice Prodotto2442271
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N540mA
Corrente di drain continua (Id) canale P540mA
Resistenza RdsON canale N0.4ohm
Resistenza RdsON canale P0.4ohm
Stile di Case del TransistorSOT-563
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N250mW
Dissipazione di potenza canale P250mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The NTZD3154NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for cell phones, digital cameras, PDAs and pagers etc. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits and battery management applications.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- Small footprint
- ESD protected gate
- Halogen-free
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
540mA
Resistenza RdsON canale P
0.4ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
250mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
540mA
Resistenza RdsON canale N
0.4ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-563
Dissipazione di potenza canale N
250mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per NTZD3154NT1G
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000454
Tracciabilità del prodotto