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NTZD3154NT1G
MOSFET dual-gate, canale N, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTZD3154NT1G
Codice Prodotto2533209
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N540mA
Corrente di drain continua (Id) canale P540mA
Resistenza RdsON canale N0.4ohm
Resistenza RdsON canale P0.4ohm
Stile di Case del TransistorSOT-563
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N250mW
Dissipazione di potenza canale P250mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NTZD3154NT1G è un MOSFET per piccoli segnali duale a canale N. È pensato per telefoni cellulari, fotocamere digitali, palmari e pager etc. È adatto per interruttori di carico/potenza, circuiti convertitori di alimentazione e applicazioni di gestione della batteria.
- La bassa RDS (ON) migliora l'efficienza del sistema
- Bassa tensione di soglia
- Footprint ridotto
- Gate protetto dalle scariche elettrostatiche
- Privo di alogeni
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
540mA
Resistenza RdsON canale P
0.4ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
250mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
540mA
Resistenza RdsON canale N
0.4ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-563
Dissipazione di potenza canale N
250mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000454