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FQT5P10TF
MOSFET di potenza, canale P, 100 V, 1 A, 1.05 ohm, SOT-223, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQT5P10TF
Codice Prodotto2464125RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id1A
Resistenza Drain-Source in conduzione1.05ohm
Stile di Case del TransistorSOT-223
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza2W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Alternative per FQT5P10TF
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Panoramica del prodotto
FQT5P10TF è un MOSFET QFET® a canale P da -100V che sfrutta la tecnologia DMOS e di striscia planare. Questa tecnologia MOSFET avanzata è stata pensata su misura per ridurre la resistenza in conduzione (RdsON) e fornire prestazioni di commutazione superiori e alta resistenza all'energia di valanga. Si presta all'uso con gli alimentatori switch-mode, amplificatori audio, controllo dei motori in DC e nelle applicazioni di alimentazione switching variabile.
- Bassa carica di gate (tipica di 6.3nC)
- Capacità elettrica di trasferimento inversa (Crss) tipica 18pF
- 100% testato per valanga
- Tensione porta-sorgente (gate-source): ±30V
- Resistenza termica giunzione-ambiente: 62,5°C/W
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
1A
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.05ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.003428