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IRLML6401
MOSFET di potenza, canale P, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttoreIRLML6401
Codice Prodotto4655265
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttoreIRLML6401
Codice Prodotto4655265
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds12V
Corrente Continua di Drain Id4.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.05ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)1.8V
Tensione di soglia Gate-Source massima950mV
Dissipazione di potenza1.3W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
The IRLML6401 is a P-Channel HEXFET® Power MOSFET designed by Infineon (originally International Rectifier). Engineered for space-efficient and low-voltage applications, this MOSFET delivers high performance in compact SOT-23 packaging. Its low R DS(on), fast switching capability, and logic-level gate drive make it ideal for battery-powered and portable applications.
- P-Channel MOSFET (enhancement mode)
- Drain-to-Source Voltage (V DS): –20V
- Gate-to-Source Voltage (V GS): ±8V max
- Continuous Drain Current (I D): –3.7A @ T<sub>A</sub> = 25°C
- R DS(on): 0.055Ω max @ V GS = –4.5V
- Fast switching speed
- Low gate charge (typ. 5.2nC)
- Logic-level gate drive
- Lead-free, RoHS compliant
- Operates with logic-level voltages, making it easy to drive with standard microcontrollers.
- Tiny SOT-23 package saves board space, perfect for densely populated PCBs.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
4.3A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
1.8V
Dissipazione di potenza
1.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tensione Drain Source Vds
12V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.05ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
950mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
Multicomp Pro MOSFET Transistros
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:No
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:No
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.107