Stampa pagina
IRLR9343TRPBF
MOSFET di potenza, canale P, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, montaggio superficiale (SMT)
6 207 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 1,110 |
| 50+ | € 0,761 |
| 250+ | € 0,562 |
| 1000+ | € 0,400 |
| 3000+ | € 0,321 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 5,55 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRLR9343TRPBF
Codice Prodotto2726028
Gamma ProdottiHEXFET
Anche noto comeSP001552884
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds55V
Corrente Continua di Drain Id20A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.105ohm
Stile di Case del TransistorTO-252AA
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza79W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiHEXFET
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- Digital audio HEXFET® is specifically designed for Class-D audio amplifier applications
- Advanced process technology
- Low RDSON for improved efficiency
- Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
- Low Qrr for better THD and lower EMI
- 175°C operating junction temperature for ruggedness
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
20A
Stile di Case del Transistor
TO-252AA
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
79W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
55V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.105ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
HEXFET
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto