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IRL40T209ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRL40T209ATMA1
Codice Prodotto3267855
Gamma ProdottiStrongIRFET
Anche noto comeIRL40T209, SP001648026
Datasheet tecnico
5 446 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRL40T209ATMA1
Codice Prodotto3267855
Gamma ProdottiStrongIRFET
Anche noto comeIRL40T209, SP001648026
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id300A
Resistenza Drain-Source in conduzione720µohm
Stile di Case del TransistorHSOF
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.4V
Dissipazione di potenza500W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiStrongIRFET
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Panoramica del prodotto
IRL40T209ATMA1 è un IR MOSFET StrongIRFET™ IRL40T209. Le applicazioni potenziali sono quelle di azionamento dei motori a spazzole e BLDC, circuiti alimentati a batteria, topologie a mezzo ponte e ponte intero, raddrizzatori sincroni, alimentatori in modalità risonante, alimentatori ridondanti e OR-ing, convertitori DC/DC e AC/DC, inverter DC/AC.
- Robustezza migliorata a gate e valanga
- Area operativa di sicurezza (SOA) a valanga e capacità elettrica descritta nei dettagli
- ID rating migliorato
- Corrente di drain continua: 586A (max, VGS=10V, TC=25°C (limitata dal silicio))
- Corrente di drain a impulsi: 1200A (TC = 25°C), tensione gate-source: da -20 a 20V (TC = 25°C)
- Dissipazione di potenza: 500W (TC = 25°C)
- Ritardo di accensione: 190ns (tip, VDD=20V, VGS=4,5V, ID=30A, RG, ext=2,7ohm)
- Tempo di salita: 230ns (tip, VDD=20V, VGS=4,5V, ID=30A, RG, ext=2,7ohm)
- Carica di commutazione: 100nC (VDD=20V, ID=100A, VGS = 0-4,5V)
- Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a 175°C, package PG-HSOF-8
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
300A
Stile di Case del Transistor
HSOF
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
500W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
720µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
StrongIRFET
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001149
Tracciabilità del prodotto