Stampa pagina
IRFP4668PBFXKMA1
MOSFET di potenza, canale N, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFP4668PBFXKMA1
Codice Prodotto4127996
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP005732696, IRFP4668PBF
Datasheet tecnico
268 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 4,560 |
| 10+ | € 2,920 |
| 100+ | € 2,410 |
| 500+ | € 2,000 |
| 1000+ | € 1,960 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 4,56 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFP4668PBFXKMA1
Codice Prodotto4127996
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP005732696, IRFP4668PBF
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds200V
Corrente Continua di Drain Id130A
Resistenza Drain-Source in conduzione8000µohm
Stile di Case del TransistorTO-247AC
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza520W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiHEXFET Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
130A
Stile di Case del Transistor
TO-247AC
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
520W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
200V
Resistenza Drain-Source in conduzione
8000µohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
HEXFET Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003
Tracciabilità del prodotto