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IRF6894MTRPBF
MOSFET di potenza, canale N, 25 V, 163 A, 0.0013 ohm, DirectFET MX, montaggio superficiale (SMT)
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF6894MTRPBF
Codice Prodotto2725898
Gamma ProdottiHEXFET
Anche noto comeSP001529334
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds25V
Corrente Continua di Drain Id163A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0013ohm
Stile di Case del TransistorDirectFET MX
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.6V
Dissipazione di potenza54W
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiHEXFET
Qualificazioni-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
163A
Stile di Case del Transistor
DirectFET MX
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
54W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
25V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0013ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.6V
Numero di pin
6Pin
Gamma di prodotti
HEXFET
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000454
Tracciabilità del prodotto