Stampa pagina
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 20 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSZ100N06LS3GATMA1
Codice Prodotto2212836
Gamma ProdottiOptiMOS Series
Anche noto comeBSZ100N06LS3 G, SP000453672
Datasheet tecnico
181 420 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,060 |
| 10+ | € 0,767 |
| 100+ | € 0,578 |
| 500+ | € 0,452 |
| 1000+ | € 0,416 |
| 5000+ | € 0,354 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,06 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSZ100N06LS3GATMA1
Codice Prodotto2212836
Gamma ProdottiOptiMOS Series
Anche noto comeBSZ100N06LS3 G, SP000453672
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id20A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.01ohm
Stile di Case del TransistorPG-TSDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V
Dissipazione di potenza50W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiOptiMOS Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The BSZ100N06LS3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
20A
Stile di Case del Transistor
PG-TSDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
50W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.01ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.7V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Alternative per BSZ100N06LS3GATMA1
2 prodotti trovati
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000076