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MOSFET Singoli:

17 prodotti trovati
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Progettista
Produttore
Tipo di canale
Polarità Transistor
Tensione Drain Source Vds
Corrente Continua di Drain Id
Resistenza Drain-Source in conduzione
Resistenza di Attivazione Rds(on)
Stile di Case del Transistor
Montaggio Transistore
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Dissipazione di Potenza Pd
Numero di pin
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Qualificazioni
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
ConfrontaPrezzo perQuantità
SPP80P06PHXKSA1
INFINEON SPP80P06PHXKSA1
2432734

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. MOSFET di potenza
  2. canale P
  3. 60 V
  4. 80 A
  5. 0.023 ohm
  6. TO-220
  7. foro passante (THT)
Unità
1+
€ 3,490
10+
€ 2,600
100+
€ 2,010
500+
€ 1,590
1000+
€ 1,520
Min: 1 / Mult: 1
canale P
-
60V
80A
0.023ohm
-
TO-220
foro passante (THT)
10V
3V
340W
-
3Pin
175°C
-
AEC-Q101
STH200N10WF7-2
STMICROELECTRONICS STH200N10WF7-2
3879174

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

STMICROELECTRONICS
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 180 A
  5. 0.0032 ohm
  6. H2PAK
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1+
€ 6,470
10+
€ 4,730
100+
€ 3,830
500+
€ 3,430
1000+
€ 2,910
Min: 1 / Mult: 1
canale N
-
100V
180A
0.0032ohm
-
H2PAK
montaggio superficiale (SMT)
10V
4.5V
340W
-
3Pin
175°C
STripFET F7 Series
-
AUIRF8739L2TR
INFINEON AUIRF8739L2TR
2803373

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 40 V
  4. 375 A
  5. 600 µohm
  6. DirectFET L8
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1+
€ 6,980
5+
€ 5,970
10+
€ 4,960
50+
€ 4,370
100+
€ 3,780
Altri prezzi...
Min: 1 / Mult: 1
canale N
-
40V
375A
600µohm
-
DirectFET L8
montaggio superficiale (SMT)
10V
3.9V
340W
-
8Pin
175°C
DirectFET
AEC-Q101
STH200N10WF7-2
STMICROELECTRONICS STH200N10WF7-2
3879174RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

STMICROELECTRONICS
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 180 A
  5. 0.0032 ohm
  6. H2PAK
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Re-reeling
Opzioni di imballaggio
10+
€ 4,730
100+
€ 3,830
500+
€ 3,430
1000+
€ 2,910
Min: 10 / Mult: 1
canale N
canale N
100V
180A
0.0032ohm
0.0032ohm
H2PAK
montaggio superficiale (SMT)
10V
4.5V
340W
340W
3Pin
175°C
STripFET F7 Series
-
SPB80P06PGATMA1
INFINEON SPB80P06PGATMA1
2212850

Data Sheet

RoHS

INFINEON
  1. MOSFET di potenza
  2. canale P
  3. 60 V
  4. 80 A
  5. 0.023 ohm
  6. TO-263 (D2PAK)
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1+
€ 3,680
10+
€ 2,750
100+
€ 2,020
500+
€ 1,690
1000+
€ 1,570
Min: 1 / Mult: 1
canale P
-
60V
80A
0.023ohm
-
TO-263 (D2PAK)
montaggio superficiale (SMT)
10V
3V
340W
-
3Pin
175°C
-
AEC-Q101
NTBGS004N10G
ONSEMI NTBGS004N10G
3766199

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

ONSEMI
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 203 A
  5. 0.003 ohm
  6. TO-263 (D2PAK)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1+
€ 5,860
10+
€ 4,910
100+
€ 3,980
500+
€ 3,250
1000+
€ 2,790
Min: 1 / Mult: 1
canale N
-
100V
203A
0.003ohm
-
TO-263 (D2PAK)
montaggio superficiale (SMT)
10V
4V
340W
-
7Pin
175°C
-
-
NTB004N10G
ONSEMI NTB004N10G
3463998

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

ONSEMI
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 201 A
  5. 0.0034 ohm
  6. TO-263 (D2PAK)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1+
€ 6,710
5+
€ 5,860
10+
€ 5,010
50+
€ 4,420
100+
€ 3,730
Altri prezzi...
Min: 1 / Mult: 1
canale N
-
100V
201A
0.0034ohm
-
TO-263 (D2PAK)
montaggio superficiale (SMT)
10V
2.8V
340W
-
3Pin
175°C
-
-
NTB004N10G
ONSEMI NTB004N10G
3463998RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

ONSEMI
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 201 A
  5. 0.0034 ohm
  6. TO-263 (D2PAK)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
10+
€ 5,010
50+
€ 4,420
100+
€ 3,730
250+
€ 3,400
Min: 10 / Mult: 1
canale N
-
100V
201A
0.0034ohm
-
TO-263 (D2PAK)
montaggio superficiale (SMT)
10V
2.8V
340W
-
3Pin
175°C
-
-
NTBGS004N10G
ONSEMI NTBGS004N10G
3766199RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

ONSEMI
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 203 A
  5. 0.003 ohm
  6. TO-263 (D2PAK)
Unità, fornito su nastro tagliato
Re-reeling
Opzioni di imballaggio
10+
€ 4,910
100+
€ 3,980
500+
€ 3,250
1000+
€ 2,790
Min: 10 / Mult: 1
canale N
canale N
100V
203A
0.003ohm
0.003ohm
TO-263 (D2PAK)
montaggio superficiale (SMT)
10V
4V
340W
340W
7Pin
175°C
-
-
AUIRF8739L2TR
INFINEON AUIRF8739L2TR
2803373RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 40 V
  4. 375 A
  5. 600 µohm
  6. DirectFET L8
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Re-reeling
Opzioni di imballaggio
10+
€ 4,960
50+
€ 4,370
100+
€ 3,780
250+
€ 3,700
Min: 10 / Mult: 1
canale N
-
40V
375A
600µohm
-
DirectFET L8
montaggio superficiale (SMT)
10V
3.9V
340W
-
8Pin
175°C
DirectFET
AEC-Q101
SPB80P06PGATMA1
INFINEON SPB80P06PGATMA1
2212850RL

Data Sheet

RoHS

INFINEON
  1. MOSFET di potenza
  2. canale P
  3. 60 V
  4. 80 A
  5. 0.023 ohm
  6. TO-263 (D2PAK)
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Re-reeling
Opzioni di imballaggio
100+
€ 2,020
500+
€ 1,690
1000+
€ 1,570
Min: 100 / Mult: 1
canale P
-
60V
80A
0.023ohm
-
TO-263 (D2PAK)
montaggio superficiale (SMT)
10V
3V
340W
-
3Pin
175°C
-
AEC-Q101
PSMN1R9-80SSEJ
NEXPERIA PSMN1R9-80SSEJ
4147450

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

NEXPERIA
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 80 V
  4. 286 A
  5. 0.0016 ohm
  6. LFPAK88
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
5+
€ 6,090
50+
€ 4,400
100+
€ 3,230
500+
€ 3,130
1000+
€ 3,020
Min: 5 / Mult: 5
canale N
-
80V
286A
0.0016ohm
-
LFPAK88
montaggio superficiale (SMT)
10V
3.6V
340W
-
4Pin
175°C
-
-
PSMN1R9-80SSEJ
NEXPERIA PSMN1R9-80SSEJ
4147450RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

NEXPERIA
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 80 V
  4. 286 A
  5. 0.0016 ohm
  6. LFPAK88
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
5+
€ 6,090
50+
€ 4,400
100+
€ 3,230
500+
€ 3,130
1000+
€ 3,020
Min: 10 / Mult: 5
canale N
-
80V
286A
0.0016ohm
-
LFPAK88
montaggio superficiale (SMT)
10V
3.6V
340W
-
4Pin
175°C
-
-
IRFP3077PBF
INFINEON IRFP3077PBF
1602241

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 75 V
  4. 120 A
  5. 0.0033 ohm
  6. TO-247AC
  7. foro passante (THT)
Unità
1+
€ 5,470
10+
€ 5,380
100+
€ 3,500
500+
€ 2,340
1000+
€ 2,290
Min: 1 / Mult: 1
canale N
-
75V
120A
0.0033ohm
-
TO-247AC
foro passante (THT)
20V
4V
340W
-
3Pin
175°C
-
-
RY7P250BMTBC
ROHM RY7P250BMTBC
4706934

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

ROHM
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 300 A
  5. 1860 µohm
  6. DFN8080
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1+
€ 7,060
5+
€ 5,720
10+
€ 4,620
50+
€ 4,460
100+
€ 4,340
Min: 1 / Mult: 1
canale N
-
100V
300A
1860µohm
-
DFN8080
montaggio superficiale (SMT)
10V
4V
340W
-
8Pin
175°C
-
-
PSMN1R9-80SSEJ
NEXPERIA PSMN1R9-80SSEJ
4319601

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

NEXPERIA
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 80 V
  4. 286 A
  5. 0.0016 ohm
  6. LFPAK88
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito in bobina completa
Full Reel
Opzioni di imballaggio
2000+
€ 3,020
6000+
€ 2,640
Min: 2000 / Mult: 2000
canale N
-
80V
286A
0.0016ohm
-
LFPAK88
montaggio superficiale (SMT)
10V
3.6V
340W
-
4Pin
175°C
-
-
DI200N10D2
DIOTEC DI200N10D2
4710404

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIOTEC
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 200 A
  5. 0.0023 ohm
  6. TO-263AB (D2PAK)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1+
€ 2,570
10+
€ 1,720
100+
€ 1,240
500+
€ 1,100
1000+
€ 1,040
Min: 1 / Mult: 1
canale N
-
100V
200A
0.0023ohm
-
TO-263AB (D2PAK)
montaggio superficiale (SMT)
10V
4V
340W
-
3Pin
175°C
-
-
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produttori leader

ONSEMI
NEXPERIA
VISHAY
STMICROELECTRONICS
MULTICOMP PRO
INFINEON
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