Stampa pagina
IRFP3077PBF
MOSFET di potenza, canale N, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFP3077PBF
Codice Prodotto1602241
Anche noto comeSP001566982
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 20 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 5,470 |
| 10+ | € 5,380 |
| 100+ | € 3,500 |
| 500+ | € 2,340 |
| 1000+ | € 2,290 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 5,47 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFP3077PBF
Codice Prodotto1602241
Anche noto comeSP001566982
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds75V
Corrente Continua di Drain Id120A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0033ohm
Stile di Case del TransistorTO-247AC
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza340W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L’IRFP3077PBF è un MOSFET di potenza a canale N HEXFET® con derivata della tensione dV/dt dinamica, valanga e gate potenziati. È adatto per il raddrizzamento sincrono ad alta efficienza nei circuiti ad alta frequenza, Hard Switched ed SMPS.
- Area operativa di sicurezza (SOA) a valanga e capacità elettrica descritta nei dettagli
- Capacità di dV/dt e di/dt del diodo avanzata
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
120A
Stile di Case del Transistor
TO-247AC
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
340W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
75V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0033ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005
Tracciabilità del prodotto