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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI9933CDY-T1-E3
Codice Prodotto4320193
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N4A
Corrente di drain continua (Id) canale P4A
Resistenza RdsON canale N0.048ohm
Resistenza RdsON canale P0.048ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N3.1W
Dissipazione di potenza canale P3.1W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
4A
Resistenza RdsON canale P
0.048ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
3.1W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
4A
Resistenza RdsON canale N
0.048ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
3.1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per SI9933CDY-T1-E3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000358
Tracciabilità del prodotto