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SI4532CDY-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI4532CDY-T1-GE3
Codice Prodotto1779268
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N6A
Corrente di drain continua (Id) canale P6A
Resistenza RdsON canale N0.038ohm
Resistenza RdsON canale P0.038ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2.78W
Dissipazione di potenza canale P2.78W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
Il SI4532CDY-T1-GE3 è un doppio MOSFET di potenza TrenchFET® con canale N e P di 30V. Adatto per convertitori DC-DC e applicazioni di commutazione dei carichi. Il MOSFET di potenza LITTLE FOOT® per montaggio superficiale utilizza un circuito integrato e package di piccolo segnale modificati per offrire le capacità di trasferimento del calore richiesto dai dispositivi alimentati.
- Privo di alogeni in conformità alla definizione IEC 61249-2-21
- Testato per Rg al 100%
- Testato UIS al 100%
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
6A
Resistenza RdsON canale P
0.038ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2.78W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
6A
Resistenza RdsON canale N
0.038ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
2.78W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005