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SI4532CDY-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI4532CDY-T1-GE3
Codice Prodotto3879333
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N6A
Corrente di drain continua (Id) canale P6A
Resistenza RdsON canale N0.038ohm
Resistenza RdsON canale P0.038ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2.78W
Dissipazione di potenza canale P2.78W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
6A
Resistenza RdsON canale P
0.038ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2.78W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
6A
Resistenza RdsON canale N
0.038ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
2.78W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005