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VEC2616-TL-W
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.062 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreVEC2616-TL-W
Codice Prodotto2563869
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N3A
Corrente di drain continua (Id) canale P3A
Resistenza RdsON canale N0.062ohm
Resistenza RdsON canale P0.062ohm
Stile di Case del TransistorVEC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N900W
Dissipazione di potenza canale P900W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
3A
Resistenza RdsON canale P
0.062ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
900W
Gamma di prodotti
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
3A
Resistenza RdsON canale N
0.062ohm
Stile di Case del Transistor
VEC
Dissipazione di potenza canale N
900W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (3)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0112
Tracciabilità del prodotto