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FDS8935
MOSFET dual-gate, canale P, 80 V, 80 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.148 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDS8935
Codice Prodotto2083351
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N80V
Tensione drain-source (Vds) canale P80V
Corrente di drain continua (Id) canale N2.1A
Corrente di drain continua (Id) canale P2.1A
Resistenza RdsON canale N0.148ohm
Resistenza RdsON canale P0.148ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N3.1W
Dissipazione di potenza canale P3.1W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Panoramica del prodotto
The FDS8935 is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with load switch and synchronous rectifier applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- ±20V Gate to source voltage
- -2.1A Continuous drain current
- -10A Pulsed drain current
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
80V
Corrente di drain continua (Id) canale P
2.1A
Resistenza RdsON canale P
0.148ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
3.1W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
80V
Corrente di drain continua (Id) canale N
2.1A
Resistenza RdsON canale N
0.148ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
3.1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000117
Tracciabilità del prodotto