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Dissipazione di potenza canale N

3.1W

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			Prezzo per		Quantità

SI9945BDY-T1-GE3	1794822 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 60 V 5.3 A 0.046 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	5+ € 1,050 50+ € 0,805 100+ € 0,576 500+ € 0,456 1000+ € 0,405	Min: 5 / Mult: 5	canale N	-	60V	-	-	5.3A	-	0.046ohm	-	SOIC	8Pin	3.1W	-	150°C	-
SI9933CDY-T1-E3	2101482 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale P 20 V 20 V 4 A 4 A 0.048 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	5+ € 0,603 50+ € 0,380 100+ € 0,282 500+ € 0,252 1000+ € 0,240	Min: 5 / Mult: 5	canale P	-	20V	-	20V	4A	4A	0.048ohm	0.048ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI4564DY-T1-GE3	2056723 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 40 V 40 V 10 A 10 A 0.0145 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	1+ € 1,360 10+ € 1,030 100+ € 0,808 500+ € 0,685 1000+ € 0,557 Altri prezzi...	Min: 1 / Mult: 1	canale N e P complementare	-	40V	-	40V	10A	10A	0.0145ohm	0.0145ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI4214DDY-T1-GE3	2646382 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 30 V 30 V 8.5 A 8.5 A 0.016 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	5+ € 0,799 50+ € 0,568 100+ € 0,388 500+ € 0,360 1000+ € 0,331	Min: 5 / Mult: 5	canale N	-	30V	-	30V	8.5A	8.5A	0.016ohm	0.016ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	TrenchFET Series
SI4559ADY-T1-GE3	3772758 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 60 V 60 V 5.3 A 5.3 A 0.046 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	5+ € 1,780 50+ € 1,130 100+ € 0,978 500+ € 0,819 1000+ € 0,702	Min: 5 / Mult: 5	canale N e P complementare	-	60V	-	60V	5.3A	5.3A	0.046ohm	0.046ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	Trench Series
SI4943CDY-T1-GE3	2335324 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale P 20 V 20 V 8 A 8 A 0.0275 ohm	Unità	1+ € 1,950 10+ € 1,350 100+ € 1,020 500+ € 0,813 1000+ € 0,800 Altri prezzi...	Min: 1 / Mult: 1	canale P	-	20V	-	20V	8A	8A	0.0275ohm	0.0275ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI4288DY-T1-GE3	3879344 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 40 V 40 V 9.2 A 9.2 A 0.0165 ohm	Unità, fornito in bobina completa Full Reel Opzioni di imballaggio	2500+ € 0,524 7500+ € 0,514	Min: 2500 / Mult: 2500	canale N	-	40V	-	40V	9.2A	9.2A	0.0165ohm	0.0165ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI4564DY-T1-GE3	2056723RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 40 V 40 V 10 A 10 A 0.0145 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,808 500+ € 0,685 1000+ € 0,557 5000+ € 0,500	Min: 100 / Mult: 1	canale N e P complementare	-	40V	-	40V	10A	10A	0.0145ohm	0.0145ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI5515CDC-T1-GE3	2335332 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 20 V 20 V 4 A 4 A 0.03 ohm	Unità	1+ € 0,912 10+ € 0,685 100+ € 0,486 500+ € 0,379 1000+ € 0,343 Altri prezzi...	Min: 1 / Mult: 1	canale N e P complementare	-	20V	-	20V	4A	4A	0.03ohm	0.03ohm	1206	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
NTMC083NP10M5L	3787297RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET dual-gate canale N e P 100 V 100 V 4.1 A 4.1 A 0.0594 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,610 500+ € 0,443 1000+ € 0,394 5000+ € 0,339	Min: 100 / Mult: 5	canale N e P	100V	100V	4.1A	100V	4.1A	4.1A	0.0594ohm	0.0594ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
NTMC083NP10M5L	3787297 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET dual-gate canale N e P 100 V 100 V 4.1 A 4.1 A 0.0594 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	1+ € 1,360 10+ € 0,876 100+ € 0,610 500+ € 0,443 1000+ € 0,394 Altri prezzi...	Min: 1 / Mult: 1	canale N e P	-	100V	-	100V	4.1A	4.1A	0.0594ohm	0.0594ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI4559ADY-T1-GE3	3772758RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 60 V 60 V 5.3 A 5.3 A 0.046 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,978 500+ € 0,819 1000+ € 0,702	Min: 100 / Mult: 5	canale N e P complementare	-	60V	-	60V	5.3A	5.3A	0.046ohm	0.046ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	Trench Series
SI9926CDY-T1-E3	1684059 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 20 V 8 A 0.018 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	5+ € 1,550 50+ € 1,050 100+ € 0,753 500+ € 0,615 1000+ € 0,533	Min: 5 / Mult: 5	canale N	-	20V	-	-	8A	-	0.018ohm	-	SOIC	8Pin	3.1W	-	150°C	-
SI9926CDY-T1-GE3	2454811 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 20 V 20 V 8 A 8 A 0.015 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	1+ € 1,350 10+ € 0,920 100+ € 0,716 500+ € 0,553 1000+ € 0,494	Min: 1 / Mult: 1	canale N	-	20V	-	20V	8A	8A	0.015ohm	0.015ohm	NSOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI4288DY-T1-GE3	2056718 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 40 V 40 V 9.2 A 9.2 A 0.0165 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	5+ € 1,870 50+ € 1,190 100+ € 0,822 500+ € 0,715 1000+ € 0,653	Min: 5 / Mult: 5	canale N	-	40V	-	40V	9.2A	9.2A	0.0165ohm	0.0165ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI5513CDC-T1-GE3	3772765 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 20 V 20 V 4 A 4 A 0.045 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	1+ € 0,722 10+ € 0,502 100+ € 0,339 500+ € 0,260 1000+ € 0,227 Altri prezzi...	Min: 1 / Mult: 1	canale N e P complementare	-	20V	-	20V	4A	4A	0.045ohm	0.045ohm	ChipFET	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	Trench Series
SI9945BDY-T1-GE3	1794822RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 60 V 5.3 A 0.046 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,576 500+ € 0,456 1000+ € 0,405	Min: 100 / Mult: 5	canale N	-	60V	-	-	5.3A	-	0.046ohm	-	SOIC	8Pin	3.1W	-	150°C	-
SI9926CDY-T1-E3	1684059RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 20 V 8 A 0.018 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,753 500+ € 0,615 1000+ € 0,533	Min: 100 / Mult: 1	canale N	-	20V	-	-	8A	-	0.018ohm	-	SOIC	8Pin	3.1W	-	150°C	-
SIB912DK-T1-GE3	2335394 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 20 V 20 V 1.5 A 1.5 A 0.18 ohm	Unità	1+ € 0,617 10+ € 0,420 100+ € 0,291 500+ € 0,221 1000+ € 0,188 Altri prezzi...	Min: 1 / Mult: 1	canale N	-	20V	-	20V	1.5A	1.5A	0.18ohm	0.18ohm	PowerPAK SC-75	6Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI9933CDY-T1-E3	2101482RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale P 20 V 20 V 4 A 4 A 0.048 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,282 500+ € 0,252 1000+ € 0,240	Min: 100 / Mult: 1	canale P	-	20V	-	20V	4A	4A	0.048ohm	0.048ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI4288DY-T1-GE3	2056718RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 40 V 40 V 9.2 A 9.2 A 0.0165 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,822 500+ € 0,715 1000+ € 0,653	Min: 100 / Mult: 5	canale N	-	40V	-	40V	9.2A	9.2A	0.0165ohm	0.0165ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI9926CDY-T1-GE3	2454811RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 20 V 20 V 8 A 8 A 0.015 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,716 500+ € 0,553 1000+ € 0,494	Min: 100 / Mult: 5	canale N	20V	20V	8A	20V	8A	8A	0.015ohm	0.015ohm	NSOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	-
SI4214DDY-T1-GE3	2646382RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N 30 V 30 V 8.5 A 8.5 A 0.016 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,388 500+ € 0,360 1000+ € 0,331	Min: 100 / Mult: 5	canale N	-	30V	-	30V	8.5A	8.5A	0.016ohm	0.016ohm	SOIC	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	TrenchFET Series
SI5513CDC-T1-GE3	3772765RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale N e P complementare 20 V 20 V 4 A 4 A 0.045 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,339 500+ € 0,260 1000+ € 0,227 5000+ € 0,206	Min: 100 / Mult: 1	canale N e P complementare	-	20V	-	20V	4A	4A	0.045ohm	0.045ohm	ChipFET	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	Trench Series
SI5935CDC-T1-GE3	2646387 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET dual-gate canale P 20 V 20 V 4 A 4 A 0.083 ohm	Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato	5+ € 0,368 50+ € 0,286 100+ € 0,246 500+ € 0,234 1500+ € 0,212	Min: 5 / Mult: 5	canale P	-	20V	-	20V	4A	4A	0.083ohm	0.083ohm	ChipFET	8Pin	3.1W	3.1W	150°C	TrenchFET Series