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FDC6333C

Name: ONSEMI FDC6333C
Brand: ONSEMI
SKU: 2251956
Availability: BackOrder

MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm

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ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreFDC6333C

Codice Prodotto2251956

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreFDC6333C

Codice Prodotto2251956

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N e P complementare

Tensione drain-source (Vds) canale N30V

Tensione drain-source (Vds) canale P30V

Corrente di drain continua (Id) canale N2.5A

Corrente di drain continua (Id) canale P2.5A

Resistenza RdsON canale N0.095ohm

Resistenza RdsON canale P0.095ohm

Stile di Case del TransistorSuperSOT

Numero di pin6Pin

Dissipazione di potenza canale N960mW

Dissipazione di potenza canale P960mW

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)

Panoramica del prodotto

The FDC6333C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converter, load switch and LCD display inverter applications.

Low gate charge
Small footprint
Low profile
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)

Avvertenze

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N e P complementare

Tensione drain-source (Vds) canale P

30V

Corrente di drain continua (Id) canale P

2.5A

Resistenza RdsON canale P

0.095ohm

Numero di pin

6Pin

Dissipazione di potenza canale P

960mW

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

MSL 1 - Non Limitata

Tensione drain-source (Vds) canale N

30V

Corrente di drain continua (Id) canale N

2.5A

Resistenza RdsON canale N

0.095ohm

Stile di Case del Transistor

SuperSOT

Dissipazione di potenza canale N

960mW

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (27-Jun-2024)

Documenti tecnici (3)

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

EOL Notices EN

Alternative per FDC6333C

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.099

Tracciabilità del prodotto