Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
18 724 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
Quantità | |
---|---|
5+ | € 0,886 |
50+ | € 0,551 |
100+ | € 0,359 |
500+ | € 0,275 |
1500+ | € 0,248 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 4,43 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDC6333C..
Codice Prodotto1700671
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N2.5A
Corrente di drain continua (Id) canale P2.5A
Resistenza RdsON canale N0.095ohm
Resistenza RdsON canale P0.095ohm
Stile di Case del TransistorSuperSOT
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N960mW
Dissipazione di potenza canale P960mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The FDC6333C is a N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converter, load switch and LCD display inverter applications.
- Low gate charge
- Small footprint
- Low profile
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
2.5A
Resistenza RdsON canale P
0.095ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
960mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
2.5A
Resistenza RdsON canale N
0.095ohm
Stile di Case del Transistor
SuperSOT
Dissipazione di potenza canale N
960mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto