Stampa pagina
NTLUD3A50PZTBG.
MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 4.4 A
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTLUD3A50PZTBG.
Codice Prodotto3616917
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N-
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N-
Corrente di drain continua (Id) canale P4.4A
Resistenza RdsON canale N-
Resistenza RdsON canale P0.05ohm
Stile di Case del TransistorUDFN
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N-
Dissipazione di potenza canale P1.4W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
4.4A
Resistenza RdsON canale P
0.05ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.4W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tensione drain-source (Vds) canale N
-
Corrente di drain continua (Id) canale N
-
Resistenza RdsON canale N
-
Stile di Case del Transistor
UDFN
Dissipazione di potenza canale N
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1