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MOSFET Doppi:
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Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Tensione drain-source (Vds) canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 1,470 10+ € 0,928 50+ € 0,773 100+ € 0,618 250+ € 0,606 | Min: 1 / Mult: 1 | canale N e P complementare | 30V | 30V | 4.4A | 4.4A | 0.07ohm | 0.07ohm | SOIC | 8Pin | 2.1W | 2.1W | 150°C | |||||
Unità | 1+ € 1,570 10+ € 1,100 100+ € 0,788 500+ € 0,625 1000+ € 0,564 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | canale N | 20V | 20V | 4.4A | 4.4A | 0.032ohm | 0.032ohm | ChipFET | 8Pin | 1.1W | 1.1W | 150°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,618 250+ € 0,606 | Min: 100 / Mult: 1 | canale N e P complementare | 30V | 30V | 4.4A | 4.4A | 0.07ohm | 0.07ohm | SOIC | 8Pin | 2.1W | 2.1W | 150°C | |||||
Unità, fornito in bobina completa Full Reel Opzioni di imballaggio | 500+ € 0,472 1500+ € 0,428 | Min: 500 / Mult: 500 | canale N e P complementare | 30V | 30V | 4.4A | 4.4A | 0.07ohm | 0.07ohm | SOIC | 8Pin | 2.1W | 2.1W | 150°C | |||||
Unità, fornito in bobina completa Full Reel | 3000+ € 0,280 | Min: 3000 / Mult: 3000 | canale P | - | 20V | - | 4.4A | - | 0.05ohm | UDFN | 6Pin | - | 1.4W | 150°C | |||||
