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ZXMC3A17DN8TA
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreZXMC3A17DN8TA
Codice Prodotto1471154RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N4.4A
Corrente di drain continua (Id) canale P4.4A
Resistenza RdsON canale N0.07ohm
Resistenza RdsON canale P0.07ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2.1W
Dissipazione di potenza canale P2.1W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The ZXMC3A17DN8TA is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. It is ideal for high efficiency, low voltage and LCD backlighting applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
4.4A
Resistenza RdsON canale P
0.07ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2.1W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
4.4A
Resistenza RdsON canale N
0.07ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
2.1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00025
Tracciabilità del prodotto