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BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET dual-gate, 25W, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSZ15DC02KDHXTMA1
Codice Prodotto2726092
Gamma ProdottiOptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Anche noto comeBSZ15DC02KD H, SP000961028
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSZ15DC02KDHXTMA1
Codice Prodotto2726092
Gamma ProdottiOptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Anche noto comeBSZ15DC02KD H, SP000961028
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N5.1A
Corrente di drain continua (Id) canale P3.2A
Resistenza RdsON canale N0.055ohm
Resistenza RdsON canale P0.15ohm
Stile di Case del TransistorTSDSON
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N-
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
BSZ15DC02KDHXTMA1 is a OptiMOS™2 + OptiMOS™-P 2 small signal transistor.
- Complementary P + N channel
- Gate source voltage is ±20V
- Enhancement mode
- Super logic level (2.5V rated)
- Common drain
- Avalanche rated
- 175°C operating temperature
- Qualified according to AEC Q101
- Available in 8 pin TDSON package
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
3.2A
Resistenza RdsON canale P
0.15ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
5.1A
Resistenza RdsON canale N
0.055ohm
Stile di Case del Transistor
TSDSON
Dissipazione di potenza canale N
-
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000101
Tracciabilità del prodotto