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DMG6602SVTQ-7
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG6602SVTQ-7
Codice Prodotto3127320RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id3.4A
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N3.4A
Corrente di drain continua (Id) canale P3.4A
Resistenza RdsON canale N0.038ohm
Resistenza RdsON canale P0.038ohm
Stile di Case del TransistorTSOT-26
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N840mW
Dissipazione di potenza canale P840mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione Drain Source Vds
30V
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
3.4A
Resistenza RdsON canale P
0.038ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
840mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente Continua di Drain Id
3.4A
Corrente di drain continua (Id) canale N
3.4A
Resistenza RdsON canale N
0.038ohm
Stile di Case del Transistor
TSOT-26
Dissipazione di potenza canale N
840mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000121
Tracciabilità del prodotto