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Tensione Drain Source Vds
Tensione drain-source (Vds) canale N
Corrente Continua di Drain Id
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Qualificazioni
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
ConfrontaPrezzo perQuantità
DMG6602SVT-7
DIODES INC. DMG6602SVT-7
3127319

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N e P complementare
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.4 A
  6. 3.4 A
  7. 0.038 ohm
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
5+
€ 0,351
50+
€ 0,208
100+
€ 0,112
500+
€ 0,095
1500+
€ 0,0864
Min: 5 / Mult: 5
canale N e P complementare
-
30V
-
30V
3.4A
3.4A
0.038ohm
0.038ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
-
DMG6602SVT
DIODES INC. DMG6602SVT
2061522

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N e P complementare
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.4 A
  6. 2.8 A
  7. 0.06 ohm
Unità
5+
€ 0,351
10+
€ 0,208
100+
€ 0,112
500+
€ 0,095
1000+
€ 0,0864
Altri prezzi...
Min: 5 / Mult: 5
canale N e P complementare
-
30V
-
30V
3.4A
2.8A
0.06ohm
0.095ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
-
DMG6602SVTQ-7
DIODES INC. DMG6602SVTQ-7
3127320

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N e P complementare
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.4 A
  6. 3.4 A
  7. 0.038 ohm
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
5+
€ 0,456
50+
€ 0,263
100+
€ 0,165
500+
€ 0,133
1500+
€ 0,117
Min: 5 / Mult: 5
canale N e P complementare
-
30V
-
30V
3.4A
3.4A
0.038ohm
0.038ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
AEC-Q101
DMN3135LVT-7
DIODES INC. DMN3135LVT-7
3127336

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.5 A
  6. 3.5 A
  7. 0.035 ohm
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
5+
€ 0,515
50+
€ 0,326
100+
€ 0,274
500+
€ 0,210
1500+
€ 0,179
Min: 5 / Mult: 5
canale N
-
30V
-
30V
3.5A
3.5A
0.035ohm
0.035ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
-
DMG6602SVT-7
DIODES INC. DMG6602SVT-7
3127319RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N e P complementare
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.4 A
  6. 3.4 A
  7. 0.038 ohm
Unità, fornito su nastro tagliato
Re-reeling
Opzioni di imballaggio
500+
€ 0,095
1500+
€ 0,0864
Min: 500 / Mult: 5
canale N e P complementare
30V
30V
3.4A
30V
3.4A
3.4A
0.038ohm
0.038ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
-
DMG6602SVTQ-7
DIODES INC. DMG6602SVTQ-7
3127320RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N e P complementare
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.4 A
  6. 3.4 A
  7. 0.038 ohm
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
100+
€ 0,165
500+
€ 0,133
1500+
€ 0,117
Min: 100 / Mult: 5
canale N e P complementare
30V
30V
3.4A
30V
3.4A
3.4A
0.038ohm
0.038ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
AEC-Q101
DMN3135LVT-7
DIODES INC. DMN3135LVT-7
3127336RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.5 A
  6. 3.5 A
  7. 0.035 ohm
Unità, fornito su nastro tagliato
Re-reeling
Opzioni di imballaggio
100+
€ 0,274
500+
€ 0,210
1500+
€ 0,179
Min: 100 / Mult: 5
canale N
30V
30V
3.5A
30V
3.5A
3.5A
0.035ohm
0.035ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
-
DMG6602SVT-7
DIODES INC. DMG6602SVT-7
3127557

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N e P complementare
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.4 A
  6. 3.4 A
  7. 0.038 ohm
Unità, fornito in bobina completa
Full Reel
Opzioni di imballaggio
3000+
€ 0,0684
9000+
€ 0,0595
Min: 3000 / Mult: 3000
canale N e P complementare
-
30V
-
30V
3.4A
3.4A
0.038ohm
0.038ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
-
DMG6602SVTQ-7
DIODES INC. DMG6602SVTQ-7
3127537

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N e P complementare
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.4 A
  6. 3.4 A
  7. 0.038 ohm
Unità, fornito in bobina completa
Full Reel
Opzioni di imballaggio
3000+
€ 0,0855
9000+
€ 0,0769
Min: 3000 / Mult: 3000
canale N e P complementare
-
30V
-
30V
3.4A
3.4A
0.038ohm
0.038ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
AEC-Q101
DMN3135LVT-7
DIODES INC. DMN3135LVT-7
3127597

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

DIODES INC.
  1. MOSFET dual-gate
  2. canale N
  3. 30 V
  4. 30 V
  5. 3.5 A
  6. 3.5 A
  7. 0.035 ohm
Unità, fornito in bobina completa
Full Reel
Opzioni di imballaggio
3000+
€ 0,140
9000+
€ 0,128
Min: 3000 / Mult: 3000
canale N
-
30V
-
30V
3.5A
3.5A
0.035ohm
0.035ohm
TSOT-26
6Pin
840mW
840mW
150°C
-
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