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MOSFET Doppi:
3 prodotti trovatiVisualizza
Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Tensione Drain Source Vds
Tensione drain-source (Vds) canale N
Corrente Continua di Drain Id
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,610 500+ € 0,443 1000+ € 0,394 5000+ € 0,339 | Min: 100 / Mult: 5 | canale N e P | 100V | 100V | 4.1A | 100V | 4.1A | 4.1A | 0.0594ohm | 0.0594ohm | SOIC | 8Pin | 3.1W | 3.1W | 150°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 1,360 10+ € 0,876 100+ € 0,610 500+ € 0,443 1000+ € 0,394 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | canale N e P | - | 100V | - | 100V | 4.1A | 4.1A | 0.0594ohm | 0.0594ohm | SOIC | 8Pin | 3.1W | 3.1W | 150°C | |||||
Unità, fornito in bobina completa Full Reel Opzioni di imballaggio | 2500+ € 0,374 7500+ € 0,358 | Min: 2500 / Mult: 2500 | canale N e P | - | 100V | - | 100V | 4.1A | 4.1A | 0.0594ohm | 0.0594ohm | SOIC | 8Pin | 3.1W | 3.1W | 150°C | |||||
