Stampa pagina
XP3C023AMT
MOSFET dual-gate, canale N e P, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreYAGEO XSEMI
Cod. produttoreXP3C023AMT
Codice Prodotto4169018RL
Gamma ProdottiXP3C023A Series
Datasheet tecnico
200 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,357 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 40,70 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreYAGEO XSEMI
Cod. produttoreXP3C023AMT
Codice Prodotto4169018RL
Gamma ProdottiXP3C023A Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N12A
Corrente di drain continua (Id) canale P10A
Resistenza RdsON canale N0.0104ohm
Resistenza RdsON canale P0.0235ohm
Stile di Case del TransistorPMPAK
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N3.57W
Dissipazione di potenza canale P3.57W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiXP3C023A Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
10A
Resistenza RdsON canale P
0.0235ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
3.57W
Gamma di prodotti
XP3C023A Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
12A
Resistenza RdsON canale N
0.0104ohm
Stile di Case del Transistor
PMPAK
Dissipazione di potenza canale N
3.57W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001