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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreVS-1N3768
Codice Prodotto2547255
Datasheet tecnico
Tensione inversa di picco ripetitiva1kV
Corrente diretta media35A
Tensione diretta massima1.8V
Configurazione Modulo Diodosingolo
Tipo di Case del DiodoDO-5
Numero di pin2Pin
Temperatura di esercizio max200°C
Sovracorrente Diretta400A
Montaggio del diodoprigioniero
Gamma di prodotti-
Panoramica del prodotto
The VS-1N3768 is a power silicon Rectifier Diode features low leakage current, 1000V maximum repetitive peak reverse voltage and good surge current capability up to 1000A.
Specifiche tecniche
Tensione inversa di picco ripetitiva
1kV
Tensione diretta massima
1.8V
Tipo di Case del Diodo
DO-5
Temperatura di esercizio max
200°C
Montaggio del diodo
prigioniero
Corrente diretta media
35A
Configurazione Modulo Diodo
singolo
Numero di pin
2Pin
Sovracorrente Diretta
400A
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.020638
Tracciabilità del prodotto