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TSHG8200
Emettitore di infrarossi, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreTSHG8200
Codice Prodotto1779682
Gamma ProdottiGaAlAs Double Hetero IR Diode
Datasheet tecnico
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreTSHG8200
Codice Prodotto1779682
Gamma ProdottiGaAlAs Double Hetero IR Diode
Datasheet tecnico
Lunghezza d'Onda di Picco830nm
Angolo di Intensità Dimezzata10°
Tipo di Case del DiodoT-1 3/4 (5mm)
Intensità Radiante (o Energetica)180mW/Sr
Tempo di Salita20ns
Tempo di Discesa tf13ns
Corrente Diretta If(AV)100mA
Tensione Diretta VF Max1.5V
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max85°C
Standard di Qualifica Automotive-
Gamma di prodottiGaAlAs Double Hetero IR Diode
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Panoramica del prodotto
The TSHG8200 is an infrared, 830nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1¾
- Dimensions (in mm): DIA 5
- Peak wavelength: 830nm
- High radiant intensity
- Angle of half intensity ±10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 18MHz
- Good spectral matching with CMOS cameras
Specifiche tecniche
Lunghezza d'Onda di Picco
830nm
Tipo di Case del Diodo
T-1 3/4 (5mm)
Tempo di Salita
20ns
Corrente Diretta If(AV)
100mA
Temperatura di esercizio min
-40°C
Standard di Qualifica Automotive
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Angolo di Intensità Dimezzata
10°
Intensità Radiante (o Energetica)
180mW/Sr
Tempo di Discesa tf
13ns
Tensione Diretta VF Max
1.5V
Temperatura di esercizio max
85°C
Gamma di prodotti
GaAlAs Double Hetero IR Diode
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000322
Tracciabilità del prodotto