Stampa pagina
SQJ940EP-T1_GE3
MOSFET dual-gate, canale N, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
14 019 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,933 |
| 10+ | € 0,843 |
| 100+ | € 0,596 |
| 500+ | € 0,465 |
| 1000+ | € 0,460 |
| 5000+ | € 0,459 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 0,93 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSQJ940EP-T1_GE3
Codice Prodotto2364124
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N40V
Tensione drain-source (Vds) canale P40V
Corrente di drain continua (Id) canale N15A
Corrente di drain continua (Id) canale P15A
Resistenza RdsON canale N0.0133ohm
Resistenza RdsON canale P0.0133ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N48W
Dissipazione di potenza canale P48W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
L'SQJ940EP-T1-GE3 è un doppio MOSFET a canale N alloggiato in un package a montaggio superficiale.
- Privo di alogeni
- MOSFET di potenza TrenchFET®
- Testato Rg e UIS al 100%
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
40V
Corrente di drain continua (Id) canale P
15A
Resistenza RdsON canale P
0.0133ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
48W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Corrente di drain continua (Id) canale N
15A
Resistenza RdsON canale N
0.0133ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Dissipazione di potenza canale N
48W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto