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SISH536DN-T1-GE3
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 67.4 A, 0.00325 ohm, PowerPAK 1212
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ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSISH536DN-T1-GE3
Codice Prodotto3677851RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen V
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,347 |
| 500+ | € 0,265 |
| 1000+ | € 0,233 |
| 5000+ | € 0,190 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSISH536DN-T1-GE3
Codice Prodotto3677851RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen V
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id67.4A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0027ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.00325ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK 1212
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.2V
Dissipazione di Potenza Pd26.5W
Dissipazione di potenza26.5W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen V
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
Il MOSFET a canale N da 30V (D-S) nel package PowerPAK 1212-8SH si usa tipicamente nelle applicazioni con convertitori DC/DC, POL, raddrizzamento sincrono, gestione delle batterie, commutazione di carico ed energia.
- MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V
- Bassissima resistenza RDS x cifra di merito (FOM) Qg
- Permette una densità di potenza più elevata con bassissima resistenza in stato di conduzione Rds(on) e un package compatto con caratteristiche termiche avanzate
- Testato Rg e UIS al 100%
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0027ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK 1212
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
26.5W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen V
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
67.4A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.00325ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.2V
Dissipazione di potenza
26.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per SISH536DN-T1-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005
Tracciabilità del prodotto