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SISH536DN-T1-GE3
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 67.4 A, 0.00325 ohm, PowerPAK 1212
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ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSISH536DN-T1-GE3
Codice Prodotto3677851
Gamma ProdottiTrenchFET Gen V
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,649 |
| 10+ | € 0,490 |
| 100+ | € 0,347 |
| 500+ | € 0,265 |
| 1000+ | € 0,233 |
| 5000+ | € 0,190 |
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Più: 1
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSISH536DN-T1-GE3
Codice Prodotto3677851
Gamma ProdottiTrenchFET Gen V
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id67.4A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.00325ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK 1212
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.2V
Dissipazione di potenza26.5W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen V
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
Il MOSFET a canale N da 30V (D-S) nel package PowerPAK 1212-8SH si usa tipicamente nelle applicazioni con convertitori DC/DC, POL, raddrizzamento sincrono, gestione delle batterie, commutazione di carico ed energia.
- MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V
- Bassissima resistenza RDS x cifra di merito (FOM) Qg
- Permette una densità di potenza più elevata con bassissima resistenza in stato di conduzione Rds(on) e un package compatto con caratteristiche termiche avanzate
- Testato Rg e UIS al 100%
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
67.4A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK 1212
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
26.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.00325ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.2V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen V
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per SISH536DN-T1-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005
Tracciabilità del prodotto