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SISF54DN-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 118 A, 0.0031 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSISF54DN-T1-GE3
Codice Prodotto4572106RL
Datasheet tecnico
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Corrente di drain continua (Id) canale N118A
Resistenza RdsON canale N0.0031ohm
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N69.4W
Temperatura di esercizio max150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Specifiche tecniche
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Resistenza RdsON canale N
0.0031ohm
Dissipazione di potenza canale N
69.4W
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Corrente di drain continua (Id) canale N
118A
Numero di pin
8Pin
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto